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BSB012NE2LXIXUMA1现货价格
BSB012NE2LXIXUMA1现货价格
产品分类
半导体与光电子
分立式半导体
晶体管
MOSFET
BSB012NE2LXIXUMA1
图片仅供参考,产品以实物为准
厂商型号
BSB012NE2LXIXUMA1
产品描述
MOSFET 25V 1.2 Ohm 170 Amp
内部编号
173-BSB012NE2LXIXUMA1
生产厂商
Infineon Technologies
库存信息
产品规格
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全场免运费 /报价不含任何销售税
支付方式
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BSB012NE2LXIXUMA1产品详细规格
规格书
晶体管极性
N-Channel
连续漏极电流
170 A
封装/外壳
WDSON-2
零件号别名
SP001034232
下降时间
4.6 ns
安装风格
SMD/SMT
商品名
OptiMOS
配置
Single
最高工作温度
+ 150 C
正向跨导 - 闵
180 S
RoHS
RoHS Compliant
典型关闭延迟时间
34 ns
源极击穿电压
20 V
系列
BSB012NE2
RDS(ON)
1.2 mOhms
封装
Reel
功率耗散
57 W
最低工作温度
- 40 C
上升时间
6 ns
漏源击穿电压
25 V
栅极电荷Qg
32 nC
工厂包装数量
5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 2 V
宽度
5.05 mm
Qg - Gate Charge
82 nC
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
品牌
Infineon Technologies
通道数
1 Channel
晶体管类型
1 N-Channel
Id - Continuous Drain Current
170 A
长度
6.35 mm
Rds On - Drain-Source Resistance
1 mOhms
通道模式
Enhancement
身高
0.7 mm
典型导通延迟时间
5.4 ns
Pd - Power Dissipation
57 W
技术
Si
BSB012NE2LXIXUMA1系列产品
型号
厂家
产品描述
BSB012NE2LX
infineon technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON
BSB012NE2LXXUMA1
Infineon Technologies AG
Trans MOSFET N-CH 25V 37A 7-Pin WDSON
BSB012N03LX3 G
Infineon Technologies
MOSFET OptiMOS3 PWR-MOSFET N-CH
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